T11809pt.2.pdf

ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
FORMULAS
Y
GLOSARIO
DE LA TESIS
:
"ESTUDIO COMPARATIVO DE LOS SISTEMAS DE TRANSMISIÓN
DIGITAL POH FIBRA ÓPTICA Y SUS RELACIONES CON LA TECNOLOGÍA, TELECOMUNICACIONES PUBLICAS Y SUS TENDENCIAS"
POR
FAUSTO RICARDO PEfiAFIEL ARCOS
QUITO, DICIEMBRE 1990
ÍNDICE
Página
o-
Fórmulas usadas en los
programas
1
Sección
2.1
1
2.2
1
2.3
2.k
2
2
2.5
3
2.6
2.7
'
-
¿f
.
7
2.8
9
2.9
9
2.10
10
2.11
'lO
3-1
11
3.2
n
3.3
¿f.i
¿f.2
V3
¿f.4
"
'
V5
¿f.6
IV
1¿f
17
17
19
"
22
_
22
Glosario de términos
23.
.Anexo
29
FQPKUL.4S üfí.ADAS FK LOS ^ROGRAKAS
SECC10N_2_.2_
Cálculo del margen de potencia del sistema y la fracción de división de potencia de recepción vs. el máximo número de nodos
en un bus de fibra óptica.
T
n
y i s
•o
t
n-1
K
(-1 t - K ) "
L
=
T
- -1
r Tt
1
S
-1 t K r
K,
rn-Z
Donde
a= pórtico de entrada al bus
b= pórtico del transmisor local
c= pórtico de salida del bus
d= pórtico del receptor local
P1= potencia emitida por el láser en el nodo 1
íf = coeficiente de acoplamiento láser-fibra
T = pérdidas de exceso en cada acoplador
S= pérdidas entre cada par de acopladores
n= n-esimo nodo (scoplamiento de modo no selectivo)
d= coeficiente de acoplamiento laser-fibra (modo selectivo)
Pa,Pbj¡Pc,Pd = potencias en los pórticos a,b,c,d
m= m-esimo nodo (modo selectivo)
SECCION
Cálculo de la máxima pérdida óptima de distribución de una red
en cascada de acolladores ÓDticos de estrella.
(r.
f =
2,
M . N/
N-2
)
+ N • L
L
fi
.
r opf
=
r
N-Z
—
NÍ
Donde
L
pérdidas
del acoplador
JT
jr
L„
pérdidas de la fibra
M
número de terminales de -cada acoplador
N"
número de acopladores de estrella conectados en serie.
c
SECC10N_2 ± 3_
Cálculo de la probabilidad de falla de los empalmes en la
VT\
F=
-Cf x
i
fibra
oí x
P-f
o-t = P-f
c =
Donde
D
h
L
Lo
m.
mn
¿
CT^
o^..
G
cr'i
Ef
(TÍ G D ¡(h
diámetro de la fibra óptica
espesor del adhesivo
longitud de la fi ora reforzada
longitud
del empalme
de fusión
°
. constante del empalme fundido
constante de la parte no calentada
"
.
constante de distribución de la parte fundida
constante de distribución de la parte no calentada
módulo de rigidez del adhesivo
presión sobre la fibra
módulo de Young de la fibra
Ver .Anexo
SECCIONA 2_,/f Cálculo de la longitud de la. fibra-para un BER 10~9
usando fotodiodo FIN y filtro RFC (raised full coseno) vs. velocidad binaria.
CTV Pt.)
3
P0
-
/
~
Z .-
h \)
M -O ¿
<
í = t - f1
r
JZ
\ C
j
pE •
'
TI . e2
!,3
,0-3)
( 6 t R -- A
Donde:
z
longitud de la fibra '
P'
potencia óptica a la entrada de la fibra
oí.
coeficiente de pérdidas en la fibra
Cm
capacitancia paralela total del detector y amplificador
¿j-p
altura espectral de la fuente de ruido del amplificador
M
número de niveles del código
O
frecuencia óptica
^
eficiencia cuántica del fotodetector
T
periodo de la señal eléctrica
h
constante de Planck
e
carga del electrón
Cálculo de las potencias acopladas en el divisor de potencia
A
l
r
MM r
íoÚMCiq
F
~
CT
'^'^^^^
de
-
e n t r a d a frn U
p
MN
^
Cos
7
(A t )
M.«Q,
oe
^/i )
o^ -- ?¡N
o^ a
Q LO a,
c cfeerrc x ,
Donde:
,P
potencias de salida en las dos guias laterales
potencia de salida en la guia central
coeficiente de atenuación
constante de fase
número de onda transversal
ancho promedio de las guias
espaciaraiento promedio entre las guias
distancia de acoplamiento
U JL
S
2.
Demultiplexaje usando la técnica de dispersión angular.
Cálculo de las pérdidas y penalización causada por crosstalk
3
i
L
O
s=
- \
e =
NA)
A p = A S N R . (,i-t x) /
(^ "t — z
*~> x ii un
pL E D
1-t MX-\.) 5
Donde
^ '
S/X
L
x
pérdidas de demultiplexaje
crosstalk óptico
pérdidas efectivas de multi/ demultiplexaje
factor de ruido del APD
r
5
deterioración de la relación señal a ruido
A.P -penalización de potencia
\
longitud de onda central
A\ ancho del espectro de emisión
espaciamiento entre canales
dimensión de la ventana de incidencia
apertura numérica de la fibra de entrada
J> diámetro del rayo incidente
Índice de refracción del medio entre el elemento dispersivo y el lente
ángulo de la luz
PC-S o-rro l í Q_n do
o —
1
3
-t
Si
0(
4 -
-
r:
2.
U -ti
C-.//Y) i
3
¿
3
J
-t
3
-f
JJ
X3 r
de,
'^
t
TRO
Cálculo de la pérdida total de multi/demultiplexaje y de la
penalizacion por_ crosstalk_______________________________
L
= Ao Uo "5
S/x
-
4o
U-o
^ / ^
OD
o
g>,
-T
"*
]
VpU-vYs^ Tt
J
r
LJ>
Donde:
LO
suma de las pérdidas
de muí ti- y demulti-plexaie
"*"
~
ü/X crosstalk óptico
As espaciamiento entre canales
A X t ancho de banda del filtro de multiplexaje
A X r ancho de banda del filtro de demultiplexaje
Xo longitud de onda central
ó
función delta
Lt) diodo láser
A X d desplazamiento de la longitud de onda.
l i a h do
0 = 1
^
je
oth'ene :
C Ver
A h «A o )
S =
1
1
- V C- A U
•A r
V-
- Tfc
- Tr(
-ir C+ Tt
•I A
SECCION_2 Z 7
/
Cálculo de la potencia requerida vs. velocidad "binaria para
Las fórmulas se hallan en la misma tesis.
Cálculo de la probabilidad de que un cero lógico se registre
como un u ftQ_lÓ£ico__(o_yi ce versa) ___
Las fórmulas están en la misma tesis.
_
.222
sistores^
p
1 o
=
í N' /Z he
•--
---
.
KTT
X
-t- ZQ
3
B
ITTÍ O c' R F
B3J3 t
T
A
I.)
Donde:
q
carga del electrón
B
velocidad binaria
k
constante de Boltzman
R-r,
resistencia de realimentación
r
I,
corriente de fuga del fotodiodo
I
corriente de fuga de compuerta del FET
o
p
factor de ruido asociado con el ruido del canal y de compuerta del FET (1.78 para GaAs MESFET, 1.03 para b'iMOSFET y 0.7 para Si-JFET)
Cm
capacitancia total (fotodiodo-í-FET)
C'
capacitancia total de entrada
J?
resistencia equivalente de ruido del amplificador principal
Nf
figura de ruido del amplificador principal
A
ganancia de lazo abierto del pre-amplificador
f
ancho de b3.nda obtenido después de la ecualización
g
transconductancia del f'ET
°m
Jp, J.,
coeficientes -de distribución de ruido en el receptor
Jp= .5628 J^=.0868 para una señal sin retorno a cero
y un filtro "Paised ií'ull Coseno"
P
beta del transistor bipolar
T
temperatura absoluta
I,b
corriente de base del transistor bipolar
P
potencia óptica recibida
o
*
h
constante de Planck
c
velocidad de la luz
^l
eficiencia cuántica del fotodetector
\d de onda óptica
SECCIONA2..§_
Ver los programas de la Sección 2.6
SECCIONA2^9.
Cálculo de la probabilidad de error en función de la relación
S/R y la desviación de fase causada por el jitter de la señal
de teraporizacion
P
P
E - r E (K) . p ( o )
ir, \
\
P E U ) = J.
2
P
ÍT.\
Z
o
f
J NL
-(
|p
Ui
ir)
Prf
, 360
n- K
^ . Je.^
71
Tffc/T
fc/T
Co5 T í t / T
A-
L i.T-1
P ío
C / z K)
,
JiX.
Q (.0 =
2.TT
Donde:
7^
desviación de fase causada por el jitter'
k
determina una secuencia de 2k+l bits de largo
relación señal a ruido C $ / R )
a
n-k
"aN"
^ ^~^'^1
símbolos
binC4ri0^
valor pico-pico del jitter de alineamiento
pálf:ul2 ^£ i:a £®i^£Í25 ^^22-i 2- £^i¿2 lS/R_)_del £^?a~ í?e paridad
S
v /J R
PV
W
o .
1
TT Z
( M --1
~-
W ~
6
£
- 2 '
I
LL
^
'
^A/
V
;
M ' = M-1
O
-CO.X1 Z
e
+
•k\ 0
¡I
N
-f,
oU
B
J
Donde
(?
ganancia de la fun-ción de transferencia del filtro pasaban da
B
ancho de banda de -3dB del filtro pasa-banda
f
frecuencia central del filtro pasa-banda
o
*
f,
frecuencia de la señal de reloj
M'
número de bits de datos agrupados con un bit de paridad
Ver Anexo
SECCION_2_._H_
Cálculo del e f e c t o áe_la Desistencia térmica y de la temperatura en la corriente de umbral de diodos láser.
S" "
H
AMVT)]
Donde:
^tVi'
*
T
K
To
r dj
ÍÍ-PT
H
V
71
l l +
^
r1R«
= K
^ V T ) <-<^-^
corriente de umbral en operación continua
corriente de umbral, en operación pulsada
temperatura
.
constante de la corriente de umbral
constante de temperatura del material
resistencia serie del láser
resistencia térmica
voltaje de juntura del láser
eficiencia de emisión
K
No tiene programas
CION_3j.2
culo de la grobabilidad de error usando LED y filtro con
dr
.
N=
;
GL = B.a
(2)
(5)
í(t) C^ -
c, t
(8)
¿i, (/ ITT ct>
^o
Donde:
T
periodo de la señal eléctrica
b
ancho de banda eléctrico (~3dB) del LSD
c
velocidad de la luz en el vacio
n
Índice de refracción del núcleo
z
longitud de la fibra
D
coeficiente de acoplamiento de modos de propagación
A
coeficiente de atenuación de la fibra
M
secuencia de bits de longitud M
ti
eficiencia cuántica del fotodiodo
L)
frecuencia óptica
R
resistencia de entrada del amplificador de póstdetección
a
(<^>
K
ganancia del amplificador
ganancia promedia del APD
constante de ionización del APD
P
potencia incidente en el f o t o d e t e c t o r
V . , voltaje de umbral de detección
(r* 2. ruido del receptor
T
e
carga del electrón
h
constante de Planck
r r o Han Jo
5e
ot>K&he
p(T) r ( t - c ) d t -
U ^^
i
,
T rf r
ei
- •.~e
C Vtr
£ t» (O
A r\ > o )
Ct-c) d
ra
-? i" 3E/ 2 -
l
Z1
• .¿ , -=/,
-
Donde
F, (TI ,
v
(^) == i f
L
-
a
-f
,
C^
Cx, C 3
o'cfi C i c l o s
-%
O. r
- C
„ -J
o^T« r í o r
S\
C ^ ^ L )
+ J.
C r - t/
e - o^t f c t ic t a,
-fr
1
( ^
'-{ í «-te)'
o_.e - h
h r
CL-6
C = l>.e
j = ¿*. j
£ r
f ro r
m f i n i !"£ S x mex-l
—.00
¡
L
=
fin
,
5
Cálculo de la Probabilidad ^2 er£2í £H52^2 se
y filtro con respuesta impulsiva £e£t§ngular.
•><L
Las
usan
Las t& uaci'one,5
sin u.\s
i v.t) =
e.cna<it'o n € 5
b £
CO , ( z ) , - - - • (.6)
Son
d i s h'vitas
L C > O )
}
pespuesta^ impulsiva d e l a
fibra
I'onae
a.
-1o el
5(t) =
=
/, respuesta impulsiva del
láser
(ZTT
Donde:
z
distancia de transmisión
a*
ancho RMS del espectro
c
velocidad de la luz
A
longitud de onda óptica
Q
producto ancho de banda por distancia de la
fs , fp frecuencias de oscilación del láser
(Ver
fibra
Anexo)
4!= ^
Í-T
Aí\
d^
Cálculo de las probabilidades de error cuando se utiliza decodificación de respuesta parcial
p
Q
1
error
con
j?Qr¿,i*
onceen f í CQ ci o ri
- A Q C i / * - ) - -^ G| C 3 / C 7 - )
í' f"r o b ,
d-e,
error
con
cl-Cco <jí pt cc»c.i o n
Co ^ v e ^ c í
ITT
r
2
A/o -
Donde:
SNJR relación señal a ruido
^ coeficiente de correlación
Ver ¿nexo
5É-r£Hr2 í?®»i^ HfH?fH::-ia ^r ~--2 5Í?íírí!Í2 ^-e
A ^
un
receptor óptico
y>i
^•nf c'
;
R
-I o
177 c =
-f.
i
TTC
-12-1 TÍC
y.
-M 1
Donde:
C'
capacitancia total de entrada
P
resistencia equivalente de ruido del amplificador princi
"o
pal
N
figura de ruido del amplificador principal
O-™
capacitancia de realinientación
j
f
velocidad binaria
b
Cálculo de la_resistencia de realimentación
Las fórmulas están en la misma tesis.
Cálculo del ángulo de un circuito de ajuste de la fase de la
señal de temporización
ce
6
= ^ -A
A-»
A * [ 4 -t- ex"[> (<J
Donde:
9
ángulo de fase relativa de la corriente de salida
q
k
T
. carga del electrón
constante de Boltzman
temperatura absoluta
<f>
V-
diferencia de fase entre ambos voltajes de entrada
voltaje diferencial de control
Cálculo de la densidad de 1a corriente
eceptor
óptico vs. frecuencia y resistencia de realimentación
-?1
?,
hT
=
Z
í
+
o
Inf
z
2p
t i
2.
+
,-2-
É
/
( R
I/
R^
/ / '1 / j LO C )
2.
T
= 'i K T / R
zhR c
B;f
n B ) f
F1'
c V l
^
1
= ^; K j r
'
11
t>i,x
iael
T
c^)2
r2
-
e-4,1
•L
I
- i o T
'1'1
r
=
J - T
B-1,i
T
1 r í
'L
c-i^ ^ ' ' '"T
_k_T
&^ "
c-i
Donde:
S^
resistencia de polarización del APD
JD
C
capacitancia total de entrada, incluyendo del APD
PI.I ganancia de corriente del transistor 1(2)
Pp
resistencia de colector
r,
resistencia interna .de base
T
temperatura absoluta
I-o
corriente de base
n
ÍT
f
V
is
Rf
K
q
frecuencia de los transistores
(frecuencia de corte)
frecuencia de la señal
voltaje pico de la señal de salida
corriente TDÍCO de la señal de entrada
resistencia de realimentación
constante de Boltzman
carga del electrón
U;
= t f| f
e
= ?
Al
Cálculo ^f 1§ P
r a tur a.
Las fórmulas están en la misma tesis (Sec. ¿f.2)
Cálculo de la corriente equivalente de ruido para FETs de
^
y e-
B
l "p
.{iTTf. C'RF
A
/ ( A - M ) i -if - B . Jz
p,0 =- (,
Donde:
KT
corriente equivalente de ruido
q
carga del electrón
K
R-P
i1
ld
constante de Boltzman
resistencia de realimentación
corriente de fuga del fotodiodo
I
corriente de fuga de compuerta del
o
CT
C'
RU
Nf
A
f
gffl
P^o
h
c
X
= 1.03
capacitancia total (fotodiodo+FET)
capacitancia total de entrada
resistencia equivalente de ruido del amplificador
princi-pal
"*"
—
figura de ruido del amplificador principal
ganancia de l a z o ' a b i e r t o delpre-arnplificador
ancho de banda obtenido después de la ecualización
transconductancia del FET
-potencia óptica requerida
constante de Planck
velocidad de la luz
longitud de onda de la luz
^
eficiencia cuántica del f p t o d e t e c t o r
J2
=.5628
J3
=.0868 . Estos valores son para una señal sin retorno a
cero y un filtro del tipo "Raised-Full-Coseno"
Donde:
R
RT
resistencia de salida del GaAs-FET
resistencia efe carga
Cp~
C-pp
capacitancia compuerta- f u e n t e
capacitancia drenaje- f u e n t e
0-p.
f -
capacitancia del f o t o d e t e c t o r + capacitancia parásita
ancho de banda del amplificador
transconductancia del FET
Jm
resistencia de realimentación
T
I-É
CE
en~
trada del FET_
T
i
_
O
n
f
,/
~
I
I
A
¿
- V^
c
KEP
Donde:
P
corriente de drenaje del FET , ~
corriente total de fuente
V
voltaje de compuerta
G
voltaje
voltaje
voltaje
voltaje
voltaje
'ss
rDD
de
de
de
de
de
fuente
umbral del FET
referencia
polarización de fuente
polarización de drenaje
resistencia de polarización de fuente
?S
resistencia
?D
'GSO
;GDO
de polarización de drenaje
voltaje interno del FET =1,838
capacitancia compuerta-fuente de polarización cero
capacitancia compuerta-drenaJe de polarización cero
voltaje de drenaje.
D
SECCION
do de partición de modos del lsser
Ver las fórmulas en la misma tesis
LD
r
Donde:
f
frecuencia de la señal eléctrica
.b
ancho de banda (~3dB) eléctrico del LED
fp',fs 'frecuencias de oscilación del láser,
n
/
I H L E D Il
I H'._ i .
Las fórmulas están en la misma tesis.
»_ -
-
Las fórmulas están, en la misma tesis.
5^-i£HÍ2 -- 15 íiH£ÍÍ2-£i^B -- £2Í®22^-§ §f°i§s- 2-i íH-i^2_^f P§?
Ü2Í25 ¿® E'2É2^ áfl i§55£z Cir^
_ -i
(X. - Z
i
. = Un
= m-¿-L
é - e<f CA =
^
Donde:
í
cociente de emisión espontánea sobre emisión estimulada
6
cociente de los promedios de las ondas recibidas evaluadas en los -instantes T y O
To
-periodo de la señal
A"X
espaciamiento de los modos de oscilación del láser
W
ancho de media potencia
m
coeficiente de la dispersión material de la fibra
L
longitud de la fibra
Las fórmulas están en la misma tesis.
Las fórmulas están en la misma tesis.
láser.
Las fórmulas están en la misma tesis.
Cálculo de la penalización para fuentes ópticas
PLED
PL
=
-
5
• Io 3 t i + ° * 3 S o i
C B
5. Io
Donde:
B
velocidad "binaria
"b
ancho de banda eléctrico (-3¿B) del LED
f .f
frecuencias de oscilación del láser
s* p
óptico
^ X - [( L- D) d &)? B - Cc5 ^ ] / f
P
Donde:
L
longitud del reflector
D
diámetro del núcleo de la fibra de entrada
d
espaciamiento de las ranuras de la graticula de difracción
5
ángulo de difracción proyectado en el plano principal de
la graticula
0^
ángulo de la luz, difractada proyectado en el plano per pendicular al plano anterior
f
distancia focal del lente.
NOTA
SI gráfico está en la tesis.
SECCIONAL
-
de la respuesta impulsiva y de frecuencia de un rnodu
lador óptico
_
o
-L vt ) =
''
I
¿S ^ r V0
í - h
es la respuesta impulsiva
"fí_L )
T '
.
T= L I1 _ ±
co -ITT-f
es la respuesta de frecuencia
4>
-P
2
C-) v^ /
Donde:
T
ancho del pulso eléctrico
•tf0
velocidad óptica
^rn velocidad eléctrica
A BY diferencia de velocidades de fase entre. las dos °
eruías
ópticas
L
longitud, del acoplador
f
frecuencia de la serial de microonda
Cálculo del 3jó"dulo-de las
dispersiones niodal v_
Las fórmulas están en la misma tesis.
RFC
Las fórmulas están en la misma tesis.
--
-
-
^® i 5- dispersión
Las fórmulas están en la misma tesis.
GLOSARIO
AC
corriente alterna
Acceso Básico
comunicación en la ISDN a 160 kbit/s
Acceso Primario
comunicación en la ISDN a 20¿f8 kbit/s
acoplador direccional
acoplador de energía electromagnética entre dos guiaondas
acoplamiento de "modo selectivo"
aquel acoplamiento de energía que produce menores pérdidas que el acoplador .de "modo no selectivo"
ADM
multiplexaje por división angular
AIS
señal de indicación de alarmas
AMI
inversión alternada de marcas APD
fotodiodo de avalancha
banda de paso
rango de precuencias que no sufren gran atenuación
baudio
medida de la modulación digital
BEP
tasa de errores binarios
BH
(buried- heterostructure): tipo de estructura del láser
bias .
polarización
BPF
Filtro pasa banda
buffer de corriente
Amplificador .de corriente
bursts
Cortos intervalos de tiempo de transmisión de una
s eñal
CAG
Control automático de ganancia
Canal de paridad
Canal de la trama que contiene los bits
de paridad
CI
circuito integrado
clock
Señal de reloj o temporización
CM
Controlador maestro
CHI
Inversión codificada de.marcas
CMOS
Metal- óxido- semiconductor- complementario
constante de distribución
constante de distribución de la
resistencia mecánica de um empalme
constante de fase , p
p - t^^-K1)^ , ^ = C"T /"X ) - ^j
Donde X
longitud de onda
n
índice de refracción de la gula
k
número de onda transversal de los campos
constante de ionización
Constante que indica la proporción
de ionización de los átomos del semiconductor
correlación
Comparación de una señal con la misma señal ,
pero desplazada en el tiempo
corrientes de canal y/o lateral
Corrientes que fluyen por
las.diferentes junturas de la estructura del láser
corriente de oscuridad
Corriente que produce el APD en ausencia de radiación incidente.
corriente de umbral
Corriente a partir de la cual se produce el fenómeno de radiación estimulada de potencia óptica
crosstalk
Interferencia entre canales adyacentes.
DBR
Reflector distribuido efe Bragg
DC
Corriente continua
DFB
estructura del láser con realimentación distribuida DEMUX
Demultiplexaje
densidad de la corriente de ruido
Una medida del ruido que
posee una señal eléctrica
diámetro del campo de modos
Diámetro al cual la distribu o
ción de potencia óptica ha decrecido el valor e = 0.1 ¿f
diodo anular
Diodo que sirve tanto como fotode.tector y acoplador óptico
dispersión cromática o material
Dispersión causada por la
propagación de luz compuesta de diferentes longitudes de
ond a
dispersión modal
Dispersión producida por el acoplamiento
entre los varios modos de propagación de la guiaonda
dispersión Raman
Dispersión que causa crosstalk entre canales
distancia focal
Distancia de un punto objeto sobre el eje
de la lente, cuya imagen se encuentra en-el infinito
DSM
Tipo de láser "mono-modo dinámico11
DTí1
Filtro de película delgada dieléctrica
ECL
Lógica de emisores acoplados
ecualización
Corrección del contenido espectral de una señal eléctrica
eficiencia cuá.ntica
Proporción de fotones de entrada sobre
electrones de salida
eficiencia de emisión
Relación entre el número de portadores de carga inyectados en la zona activa y el número de
fotones emitidos
EMI
interferencia electromagnética
emisión espontánea
Emisión de luz causada sólo por el. efecto fotoeléctrico en una juntura de semiconductores
emisión estimulada
Emisión de fotones excitada por la interacción de los fotones con la frecuencia eléctrica re sonante de la cavidad, del láser
enfriador Peltier
Enfriador que usa el efecto termoeléctrico para la transmisión de energía en forma de flujo calorífico con el medio que lo rodea
Ethernet
Un tipo de red local de computadores
exchange
central de conmutación
factor de trabajo
ancho del pulso digital, menor o igual
que el perlado.
FET
transistor de efecto de campo
FF
(flip-flop), celda de memoria digital
FF-MS
conexión en cascada de dos FF's con realirnentación
desde la salida del segundo (llamado esclavo), a" la en trada del primero (llamado maestro)
FFL
alarma que indica que no se detecta la palabra de alineamiento .de tramas.
filtro de mínima fase
Filtro resonante
filtros modales espaciales
Filtros usados para multiplexaje por división angular
FOS
Filtro de ondas acústicas superficiales.
FP
Fabry-Perot (cavidad de)
frecuencia de resonancia del láser
frecuencia de resonancia
que produce la emisión estimulada de radiación
frecuencia secundaria
frecuencia del modo secundario de oscilación.
full-dúplex
transmisión simultánea en ambos sentidos
función de densidad de probabilidad 7 Kx) = dftx'í/dx t FCx)
Donde F(x)= probabilidad de que un valor observado sea
menor o igual que x
ü-aAs
Arseniuro de Galio
Ge
Germanio
gratlcula planar de difracción
gratlcula de difracción
formada con una gui-aonda plana
guiaondas "strip"
gulaondas hechas de una lámina de material dieléctrico sobre una superficie de otro material
half-dúplex'
transmisión bidireccional alternada
HDB3
codificación bipolar de alta densidad
26
host
computador maestro
IG
índice de refracción gradual
intercambio digital
Central de conmutación digital
1SDN
red digital de servicios integrados.
ISI
interferencia entre simbolos
1SM
servicio de monitoreo del sistema
ITFB
alarma que indica que la tasa de errores es muy alta
JFET
transistor de efecto de campo de juntura
jitter
fluctuación de la forma de onda de la señal
L.ATT
red de.área local
latches
retenedores de datos digitales
<
LD
diodo láser
LED
diodo emisor de luz
longitud de onda de corte
Límite que determina la propagación de un solo modo
LPF
filtro pasa bajos
LT
unidad terminal de linea
mesa del láser
zona activa del láser
MESFET
transistor de efecto de campo isetal-óxido-semicon ductor que usa el GaAs en lugar del Si
MLO
multiplexaje de longitudes de onda
KM
muíti- modo
módulo de rigidez = fatiga cortante/ deformación unitaria por
cizalladura
módulo de Young = fatiga tensora/ deformación unitaria por
tensión
MOSFET
transistor de efecto de campo con capas de metal,
óxido y semiconductor
MPD
minima potencia detectable
MSI
media escala de integración
multi-drop
transmisión simplex con un solo transmisor y
varios receptores
MÜX
multiplexaje
NIRZ
formato de codificación digital sin retorno a cero
on-off
encendido- apagado
on-premises
local
operación pulsada
operación del láser sólo en intervalos
a.islados de tiempo y no en forma continua
PAM
modulación por amplitud del pulso
-~i
Pascal (Pa)
unidad de medición de la'presión, 1 Pa= IN/m
pattern
forma de onda de una señal
PBX
central privada de conmutación
PCM
modulación por código de pulsos
penalización de potencia
Pérdidas que producen degradación
de la sensibilidad del receptor causada por las respuestas
de la fuente y del medio de transmisión. Diferencia entre
la potencia óptica recibida y la potencia óptica media que
seria necesaria para.producir el mismo BEP, pero con un
formato ideal de la señal
PIN
diodo detector de luz, con una zona de semiconductor
intrinseco
PL
puerto lógico
PLL
lazo asegurado de fase
PPM
modulación por posición del pulso
PSK
modulación por desplazamiento de fase
Q
factor de calidad de un circuito resonante
reflectómetro
instrumento para medir las características
de atenuación de la fibra
relación de extinción.
característica de la señal que de termina la atenuación total de la oscilación causada por
una transición
resistencia serie del láser
Resistencia serie del circuito
equivalente del diodo láser
resistencia térmica
parámetro característico de los materiales que indica la relación entre la disipación de po tencia por calentamiento y la temperatura
RMS (root mean squane)
valor eficaz de una función
RFC (raised full cosine)
Filtro cuya respuesta de frecuencia es de la forma H(f)= (rr-f/z&V cot (tif/e^)
RR
repetidor regenerador
ruido de disparo
ruido producido' por la recombinación de
portadores de carga en un semiconductor .
ruido de partición de modos
Ruido causado por la fluctúa —
ción de la intensidad de cada modo longitudinal del láser
aunque la intensidad total es constante
RZ
formato de codificación con retorno a cero
SABD
sistema de administración de bases de datos
SAW
onda acústica superficial
SEIB
sincronizador de bloques e Ínter faz, del bus
SCD
decodificador del canal de servicios
SCI
interfaz del canal de servicios
scrambler
codificador que utiliza bits de redundancia para
control de errores
Si
silicio
S/I
relación señal/ interferencia
side-by-side
-acoplamiento compartido tanto de las fuentes;
y los detectores
simplex
transmisión en una sola dirección
üM
mono-modo
SNJR
relación señal a ruido
SP
panel de servicio
speckle noise
ruido modal
S/R
relación señal/ ruido
switches de corriente
Pares diferenciales de transistores
T
periodo de la señal
taps
tomas o derivaciones
TDM
múltiplex por división de tiempo
TMEF
tiempo medio entre fallas
transimpedancia
voltaje de salida/ corriente de entrada
troncal
interconexión entre centrales de conmutación
TV interactiva
transmisión paralela multicanal de televisión en lazos de abonados
umbral de detección
Nivel de voltaje o de corriente que determina el limite entre la presencia o ausencia de un pulso de luz, emitido por el transmisor.
UTL
unidad terminal de linea
VCO
oscilador controlado por voltaje
velocidad de fase
velocidad de una sinusoide pura, a la
cual se mantiene constante la fase instantánea de la onda
ventana de incidencia
zona sobre la cual incide un rayo óptico áemultiplexado
voltaje de juntura
Voltaje de polarización del diodo la.ser
wander
Fluctuación de fase
WDM
multiplexaje de longitudes de onda
XOR
compuerta OJ? exclusiva
Si
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